[发明专利]太阳能电池吸收层的制备方法有效
| 申请号： | 200680026954.3 | 申请日： | 2006-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101228639A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 尹锡炫 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱梅;徐志明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种由1B－3A－Se化合物组成的太阳能电池吸收层的制备方法，该方法包括：将作为前驱体材料的金属硒化物纳米粒子涂敷于基层材料上，并对所用的纳米粒子进行热处理，由此，与使用氧化物形式的金属作为前驱体材料的常规方法相比，增加了1B－3A－Se化合物的晶体大小，从而提高了太阳能电池的效率，并且通过省略氢还原与硒化过程简化了制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 吸收 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池吸收层的制备方法，所述吸收层由1B-3A-Se化合物组成，该方法包括如下步骤：(a)制备1B族金属硒化物粒子和3A族金属硒化物粒子的混合物浆料作为反应物；(b)将上述浆料涂敷于基层材料上；和(c)对所得涂敷层进行快速热处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
