[发明专利]MEMS器件中的应力释放机构及其制造方法有效
| 申请号： | 200680027480.4 | 申请日： | 2006-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN101317325A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 加里·G·李;乔纳森·哈莱·哈蒙德;丹尼尔·N·小库里 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H02N1/00 | 分类号： | H02N1/00;G01P15/125 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种MEMS器件(100)和形成该器件的方法。在一个示例实施例中，MEMS器件(100)包括：具有表面的衬底(106)；电极(128)，其具有连接到衬底表面的第一部分，以及在衬底表面之上可移动地悬挂的第二部分；和设置在该电极第二部分上的应力释放机构(204)，所述应力释放机构(204)包括整体地形成在电极中的第一狭槽(208)。在另一个示例实施例中，衬底(106)包括锚(134，136)，并且邻近锚(134，136)形成所述应力释放机构(222)。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 中的 应力 释放 机构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，包括：具有表面的衬底；电极，其具有连接到所述衬底表面的第一部分和在所述衬底表面上可移动地悬挂的第二部分；以及设置在所述电极第二部分上的应力释放机构，所述应力释放机构包括整体地形成在所述电极中的第一狭槽。
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