[发明专利]低电容瞬变电压抑制器无效
申请号: | 200680027569.0 | 申请日: | 2006-07-27 |
公开(公告)号: | CN101371416A | 公开(公告)日: | 2009-02-18 |
发明(设计)人: | 弗雷德·马特森;洛基·坎萨尔 | 申请(专利权)人: | 普洛泰克设备有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种瞬变电压抑制器包含反向偏置瞬变电压抑制器PN二极管,其与正向偏置的PIN二极管串联连接,由所述PN二极管和所述PIN二极管形成的串联电路连接在第一端子与第二端子之间,且与反向偏置的PIN二极管并联。 | ||
搜索关键词: | 电容 电压 抑制器 | ||
【主权项】:
1.一种瞬变电压抑制器,其包括:(a)反向偏置的瞬变电压抑制器PN二极管,其连接到第一端子;(b)低电容正向偏置的二极管,其具有由本征区隔离的P区和N区,所述低电容正向偏置的二极管与所述PN二极管串联连接,并连接到第二端子;以及(c)反向偏置的低电容二极管,其具有由本征区隔离的P区和N区,所述反向偏置的低电容二极管连接在所述第一端子与第二端子之间,与由所述反向偏置的瞬变电压抑制器和所述正向偏置的低电容二极管形成的串联电路并联。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普洛泰克设备有限公司,未经普洛泰克设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680027569.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。