[发明专利]逆变器装置和冷冻循环装置有效
申请号: | 200680027846.8 | 申请日: | 2006-08-28 |
公开(公告)号: | CN101233675A | 公开(公告)日: | 2008-07-30 |
发明(设计)人: | 植杉通可;野田浩二;远藤隆久;饼川宏 | 申请(专利权)人: | 东芝开利株式会社 |
主分类号: | H02M7/5387 | 分类号: | H02M7/5387;F25B1/00;H02M7/48;H02P6/08 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 配备开关电路,该开关电路具有多个沿电压施加方向成为上游侧的IGBT和成为下游侧的MOSFET的串联电路,并且将这些串联电路中的IGBT和MOSFET的相互连接点连接到负载。而且,依次切换各串联电路中的至少1个串联电路的IGBT进行通断,并且另外的至少1个串联电路的MOSFET进行导通的多相通电。 | ||
搜索关键词: | 逆变器 装置 冷冻 循环 | ||
【主权项】:
1.一种逆变器装置,其特征在于,配备:开关电路,该开关电路具有多个沿电压施加方向成为上游侧的IGBT和成为下游侧的MOSFET的串联电路,并具有与各所述IGBT和各所述MOSFET分别反向并联的回流二极管,而且将各所述串联电路中的所述IGBT和所述MOSFET的相互连接点连接到含电感分量的负载;以及控制单元,该控制单元依次切换多相通电,所述多相通电对各所述串联电路中的至少1个串联电路的IGBT进行通断,并且对另外的至少1个串联电路的MOSFET进行导通。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东芝开利株式会社,未经东芝开利株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680027846.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。