[发明专利]通过离子束注入形成的纳米棒阵列无效
| 申请号： | 200680027866.5 | 申请日： | 2006-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN101233268A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 朱唯干;徐慧源;陈永松;杜立伟;萧庆廉;王雪梅;杜彦洁 | 申请（专利权）人： | 休斯顿大学 |
| 主分类号： | D01F9/12 | 分类号： | D01F9/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李帆 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 描述了一种使用离子束注入制备纳米棒阵列的方法，该方法包括在衬底上限定图案和然后使用离子束注入向衬底中注入离子。接下来，在衬底上沉积薄膜。在薄膜生长期间，纳米沟槽形成并通过毛细凝结催化纳米棒的形成。所得纳米棒相对于支持基体排列并且没有晶格和热应变作用。通过改变离子束注入和薄膜生长条件可以改变纳米棒的密度、尺寸和纵横比，导致对发射效率的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 离子束 注入 形成 纳米 阵列 | ||
【主权项】：
1.制造设计的图案化阵列中的整齐排列的单晶纳米棒的方法，该方法包括：a)提供衬底；b)在衬底上限定图案；c)使用离子束注入向衬底中注入离子；和d)在衬底上沉积薄膜。
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