[发明专利]半导体薄膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200680028095.1 | 申请日： | 2006-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN101233257A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 井上一吉;矢野公规;田中信夫 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C01G15/00;H01L21/363 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种透明氧化物半导体及其制造方法，其由以氧化铟为主成分，添加了氧化铈的氧化物构成，不会因为光造成误操作，进行加热等时薄膜的比电阻不会发生变化。采用的半导体薄膜含有氧化铟和氧化铈，由结晶质构成，比电阻为10+1～10+8Ωcm。该半导体薄膜的比电阻变化少，迁移率高。因此用该半导体薄膜构成开关元件，可以获得开关性能得到提高的元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 薄膜 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体薄膜，其含有氧化铟和氧化铈，由结晶质构成，其特征在于，比电阻为10+1～10+8Ωcm。
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