[发明专利]层选择性激光切除构图

摘要

本发明涉及一种制作诸如薄膜晶体管之类的电子器件的方法，使用激光切除用于选择性切除。所述有机电子器件具有这样的结构，包括上导电层和所述上导电层的紧邻下层，并且具有至少一种溶液可处理半导体层，制作所述有机电子器件的方法包括通过以下步骤对所述结构的所述上导电层进行构图：使用脉冲激光对所述上导电层进行激光切除以从用于所述构图的所述下层去除上导电层的区域；以及其中所述激光切除使用所述激光的单独脉冲以实质上完全地去除所述上导电层的所述区域以暴露出下面的所述下层。

主权项

1.一种制作有机电子器件的方法，所述有机电子器件具有这样的结构，包括上导电层和所述上导电层的紧邻下层，并且具有至少一种溶液可处理半导体层，所述方法包括通过以下步骤对所述结构的所述上导电层进行构图：使用脉冲激光对所述上导电层进行激光切除，以从用于所述构图的所述下层去除上导电层的区域；以及其中所述激光切除使用所述激光的单独脉冲，以实质上完全地去除所述上导电层的所述区域以暴露出下面的所述下层。