[发明专利]用于在氧化物膜中掺入氮的方法和装置有效
| 申请号： | 200680028471.7 | 申请日： | 2006-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN101238540A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤达也;帕特里夏·M·刘;法诺斯·克里斯图杜鲁 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的第一方面提供了第一方法。第一方法包括步骤：(1)用高强度等离子体将处理室预处理；(2)将衬底装入所述处理室；和(3)在所述处理室内对所述衬底进行等离子体氮化。预处理所述处理室使用的等离子体功率比所述衬底的等离子体氮化过程中使用的等离子体功率高至少150％。本发明还提供许多其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 氧化物 掺入 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：用高强度等离子体将处理室预处理；将衬底装入所述处理室；和在所述处理室内对所述衬底进行等离子体氮化；其中，预处理所述处理室使用的等离子体功率比所述衬底的等离子体氮化过程中使用的等离子体功率高至少150％。
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