[发明专利]除去化学气相沉积(CVD)腔内的表面沉积物和钝化内表面的方法无效

专利信息
申请号: 200680028522.6 申请日: 2006-08-02
公开(公告)号: CN101313085A 公开(公告)日: 2008-11-26
发明(设计)人: H·H·萨温;B·白;J·J·安 申请(专利权)人: 麻省理工学院
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 邹雪梅;范赤
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及用于从表面除去表面沉积物的等离子体清洗方法,例如除去用于制造电子设备的加工腔内部的沉积物。本发明还提供了具有优异的除去表面沉积物性能的气体混合物和活化的气体混合物。该方法包括活化含碳源或硫源、NF3以及任选氧源的气体混合物,以形成活化的气体,将活化的气体混合物与表面沉积物接触而除去表面沉积物,其中,活化的气体混合物起到钝化装置内表面而降低气相物种的表面复合速率的作用。
搜索关键词: 除去 化学 沉积 cvd 表面 沉积物 钝化 方法
【主权项】:
1.一种活化的气体混合物,所述混合物包含:约60%-约75%的氟原子,约10%-约30%的氮原子,任选最高达约15%的氧原子,以及约0.3%-约15%的一种或多种选自由碳和硫组成的组中的原子。
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