[发明专利]介电陶瓷及其制造方法、以及层叠陶瓷电容器有效
| 申请号： | 200680028613.X | 申请日： | 2006-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN101238080A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 福田大辅 | 申请（专利权）人： | 京瓷株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/46 | 分类号： | C04B35/46;H01B3/12;H01G4/12;H01G4/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在由含有以Ti和从Ca、Sr、Ba中选出的至少一种碱土类金属元素为主成分的主晶粒(1)的复合氧化物构成的介电陶瓷中，所述主晶粒(1)含有Mg、Mn以及稀土类元素的金属成分，并且所述Mg、Mn及稀土类元素的至少一种的金属成分，比所述主晶粒(1)的内部，高浓度存在于主晶粒的表面侧，通过相对于100质量分的所述复合氧化物含有以氧化物换0.04～0.2质量分的Zr，即使是微粒化的钛酸钡类的晶粒，也能够实现高介电常数化，并且可以使相对介电常数的温度特性稳定化。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 及其 制造 方法 以及 层叠 电容器 | ||
【主权项】：
1.一种介电陶瓷，其由含有以Ti和从Ca、Sr、Ba中选出的至少一种碱土类金属元素为主成分的主晶粒的复合氧化物构成，其特征在于，所述主晶粒含有Mg、Mn以及稀土类元素的金属成分，并且所述Mg、Mn及稀土类元素的至少一种的金属成分，与所述主晶粒的内部相比，高浓度地存在于主晶粒的表面侧，其表面侧/内部的浓度比为1.5倍以上，相对于100质量分的所述复合氧化物，以氧化物换算计含有0.04～0.2质量分的Zr。
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