[发明专利]光刻设备及其清洁方法无效
| 申请号： | 200680028663.8 | 申请日： | 2006-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101238415A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 马腾·马瑞内斯·约翰内斯·威尔赫尔姆斯·范合鹏;威迪姆·耶乌根耶维奇·班尼恩;约翰内斯·休伯特斯·约瑟芬妮·摩尔斯;德克·简·威尔弗瑞德·克拉恩德尔 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王文生 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种光刻设备及其清洁方法。所述设备包括用于供给氢基团的源；用于与所述氢基团源结合使用的引导件，用于将氢基团引导到作为所述氢基团的目标的应用表面。所述引导件设置有具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层。以这种方式，所述氢基团可以以较少的损失输送，并能够更好地与应用表面(例如反射镜表面)上残留的污染物相互作用。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 设备 及其 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种极紫外光刻设备，包括：辐射源，用于生成极紫外辐射；用于供给氢基团的源；用于与所述氢基团源结合使用的引导件，用于将氢基团引导到作为所述氢基团的目标的应用表面；其中所述引导件设置有具有低于0.2的氢基团复合常数的涂层。
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