[发明专利]中空二氧化硅颗粒、包含它们的组合物以及它们的制备方法有效

专利信息
申请号: 200680029083.0 申请日: 2006-08-09
公开(公告)号: CN101299989A 公开(公告)日: 2008-11-05
发明(设计)人: K·K·卡拉;M·D·布茨;D·S·威廉姆斯;S·E·杰诺维斯 申请(专利权)人: 宝洁公司
主分类号: A61K8/25 分类号: A61K8/25;C01B33/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 张钦
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了包含中空二氧化硅颗粒的组合物及其制备方法,所述颗粒由包含含硅化合物的组合物制成,所述含硅化合物选自由下列物质组成的组:四烷氧基硅烷、三烷氧基硅烷及其衍生物、二烷氧基硅烷及其衍生物、烷氧基硅烷及其衍生物、硅氧烷低聚物、低聚倍半硅氧烷和硅氧烷低聚物。所述含硅化合物分散在聚合物模板内核上,所述内核将从所述颗粒中消除。本发明的颗粒具有基本均匀的粒度并显示对液体的低渗透性。
搜索关键词: 中空 二氧化硅 颗粒 包含 它们 组合 以及 制备 方法
【主权项】:
1.一种包含含二氧化硅中空颗粒的组合物,其中用于制备所述颗粒的方法包括以下步骤:制备模板颗粒;向所述模板颗粒表面提供偶联剂;提供含硅化合物以将包含二氧化硅的外壳沉积到所述模板颗粒上,以在所述模板颗粒上形成基本均匀的涂层;和通过首先将所述模板颗粒加热至325℃至525℃,优选375℃至475℃的第一温度第一时间段,优选2至6小时,然后将所述模板颗粒加热至525℃至900℃,优选550℃至700℃的第二温度第二时间段,优选2至6小时,来消除所述模板颗粒,从而制得中空二氧化硅颗粒,其中所述组合物为化妆品组合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宝洁公司,未经宝洁公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680029083.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top