[发明专利]形成W类膜、形成栅极电极以及制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200680029231.9 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN101238550A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 山崎英亮 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C16/16;C23C16/42;H01L21/28;H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种W类膜的成膜方法，其包括：在处理室内配置基板的工序；交互地反复向处理室内导入W(CO)6气体以堆积W以及导入含Si气体以进行W的硅化或者堆积Si，从而形成WSi膜的工序；以及在供给W(CO)6气体和含Si气体期间对处理室进行清扫的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 类膜 栅极 电极 以及 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种W类膜的成膜方法，其特征在于，包括：在处理室内配置基板的工序；交互地反复进行向所述处理室内导入W(CO)6气体进行W的堆积和导入含Si气体进行W的硅化或者Si的堆积，从而成膜WSi膜的工序；以及在所述W(CO)6气体的供给和所述含Si气体的供给之间的期间对所述处理室进行清扫的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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