[发明专利]缓冲组合物无效
申请号: | 200680029438.6 | 申请日: | 2006-06-28 |
公开(公告)号: | CN101595532A | 公开(公告)日: | 2009-12-02 |
发明(设计)人: | C·苏;H·斯库拉森;M·T·马特罗 | 申请(专利权)人: | E.I.内穆尔杜邦公司 |
主分类号: | H01B1/00 | 分类号: | H01B1/00;H01B1/02;H01B1/12;H01J1/62;H01L29/08;H01L35/24;H01L51/00 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 朱黎明 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供一种包含半导体氧化物颗粒和以下(a)和(b)中的至少一种的缓冲组合物:(a)氟化酸聚合物,和(b)掺杂有氟化酸聚合物的半导体聚合物。半导体氧化物颗粒包括金属氧化物和双金属氧化物。酸聚合物源自聚烯烃、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸酯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚芳酰胺、聚丙烯酰胺、聚苯乙烯的单体或共聚单体。在聚合物主链上、与主链相连的侧链上、侧基上,或它们的组合上可以进行氟化或高度氟化。半导体聚合物包括源自噻吩、吡咯、苯胺和多环杂芳族化合物的聚合物或共聚物。还提供制备缓冲组合物的方法。 | ||
搜索关键词: | 缓冲 组合 | ||
【主权项】:
1.一种缓冲组合物,包含半导体氧化物颗粒和以下(a)和(b)中的至少一种:(a)氟化酸聚合物,和(b)掺杂有氟化酸聚合物的半导体聚合物。
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