[发明专利]微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶有效
| 申请号： | 200680029661.0 | 申请日： | 2006-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101243201A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 青木庄治;和田正彦;小出正登 | 申请（专利权）人： | 三菱麻铁里亚尔株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶，其能够同时制造半导体器件布线的扩散防止膜和种子膜。该微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶由铜合金构成，该铜合金具有含有Mn：0.6－30质量％，余量由Cu以及杂质构成的组成，并且上述杂质中，金属类的杂质为40ppm以下，并且氧限定为10ppm以下，氮限定为5ppm以下，氢限定为5ppm以下，碳限定为10ppm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 微粒 发生 mn 铜合金 溅射 | ||
【主权项】：
1、一种微粒发生少的含Mn铜合金溅射靶，其特征在于，由铜合金构成，该铜合金具有含有Mn：0.6-30质量％，余量由Cu以及杂质构成的组成，在上述杂质中，金属类杂质为40ppm以下，并且将氧限定为10ppm以下，将氮限定为5ppm以下，将氢限定为5ppm以下，将碳限定为10ppm以下。
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