[发明专利]磁致电阻传感器有效
申请号: | 200680029889.X | 申请日: | 2006-06-20 |
公开(公告)号: | CN101243326A | 公开(公告)日: | 2008-08-13 |
发明(设计)人: | N·F·布施 | 申请(专利权)人: | 霍尼韦尔国际公司 |
主分类号: | G01R33/09 | 分类号: | G01R33/09;G01V3/08;G11B5/39 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;魏军 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种磁传感器、系统和方法,包括靠近目标的磁体,所述目标包括多个齿和形成于其间的多个槽。集成电路位于磁体的一侧,其中集成电路包括多个磁致电阻桥式组件。将集成电路和磁体配置到传感器封装中,使得磁致电阻桥式组件在目标齿及其相关槽通过传感器封装期间,在多个磁致电阻桥式组件的一半在磁致电阻桥式组件的另一半之前靠近齿的边缘时,能够探测到目标齿。 | ||
搜索关键词: | 致电 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种磁传感器,包括:靠近目标的磁体,所述目标包括多个齿和多个形成于其间的槽;位于所述磁体的一侧的集成电路,其中所述集成电路包括多个磁致电阻桥式组件,其中所述集成电路和所述磁体被配置到传感器封装中,使得所述多个磁致电阻桥式组件在所述多个齿中的至少一个齿及其相关槽通过所述传感器封装期间,在所述多个磁致电阻桥式组件的一半在所述多个磁致电阻桥式组件的另一半之前靠近所述至少一个齿的边缘时,能够探测所述多个齿中的至少一个齿。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司,未经霍尼韦尔国际公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200680029889.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。