[发明专利]磁致电阻传感器有效

专利信息
申请号: 200680029889.X 申请日: 2006-06-20
公开(公告)号: CN101243326A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: N·F·布施 申请(专利权)人: 霍尼韦尔国际公司
主分类号: G01R33/09 分类号: G01R33/09;G01V3/08;G11B5/39
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 王岳;魏军
地址: 美国新*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种磁传感器、系统和方法,包括靠近目标的磁体,所述目标包括多个齿和形成于其间的多个槽。集成电路位于磁体的一侧,其中集成电路包括多个磁致电阻桥式组件。将集成电路和磁体配置到传感器封装中,使得磁致电阻桥式组件在目标齿及其相关槽通过传感器封装期间,在多个磁致电阻桥式组件的一半在磁致电阻桥式组件的另一半之前靠近齿的边缘时,能够探测到目标齿。
搜索关键词: 致电 传感器
【主权项】:
1.一种磁传感器,包括:靠近目标的磁体,所述目标包括多个齿和多个形成于其间的槽;位于所述磁体的一侧的集成电路,其中所述集成电路包括多个磁致电阻桥式组件,其中所述集成电路和所述磁体被配置到传感器封装中,使得所述多个磁致电阻桥式组件在所述多个齿中的至少一个齿及其相关槽通过所述传感器封装期间,在所述多个磁致电阻桥式组件的一半在所述多个磁致电阻桥式组件的另一半之前靠近所述至少一个齿的边缘时,能够探测所述多个齿中的至少一个齿。
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