[发明专利]使用高K电介质中的空穴捕集的存储器无效
| 申请号： | 200680029934.1 | 申请日： | 2006-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN101243554A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 伦纳德·福布斯;凯·Y·阿恩 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336;G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述一种非易失性存储器，其具有带有栅极电介质(312)的存储器单元。所述栅极电介质是处于晶体管的控制栅极(310)与沟道区(308)之间的多层电荷捕集电介质，用以捕集带正电的空穴。所述多层电荷捕集电介质包含至少一个高K层。背栅极(306)与衬底(300)形成p－n结。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 电介质 中的 空穴 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器，其包含：源极和漏极区，其位于晶体管主体区中，所述源极和漏极区横向间隔开以在其之间形成沟道区；控制栅极，其与所述沟道区隔离且垂直位于所述沟道区上方；多层电荷捕集电介质，其处于所述控制栅极与所述沟道区之间以捕集带正电的空穴，其中所述多层电荷捕集电介质包含至少一个高K电介质层，所述高K电介质的介电常数(K)大于七。
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