[发明专利]用于除去硬化的光致抗蚀剂、蚀刻后残留物和/或底部抗反射涂层的稠密流体组合物无效

专利信息
申请号: 200680029951.5 申请日: 2006-06-16
公开(公告)号: CN101242914A 公开(公告)日: 2008-08-13
发明(设计)人: 迈克尔·B·克赞斯基;帕梅拉·M·维辛廷;托马斯·H·鲍姆;大卫·W·明赛克;许从应 申请(专利权)人: 高级技术材料公司
主分类号: B08B3/00 分类号: B08B3/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 王海川;樊卫民
地址: 美国康*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明描述了从微电子器件上除去硬化的光致抗蚀剂、蚀刻后光致抗蚀剂和/或底部抗反射涂层的方法和组合物。所述组合物可包含稠密流体如超临界流体,和稠密流体浓缩物,该稠密流体浓缩物包含共溶剂、任选的氟化物源和任选的酸。所述稠密流体组合物在随后的处理之前从所述微电子器件上基本除去污染性残留物和/或层,从而改善所述微电子器件的形态、性能、可靠性和成品率。
搜索关键词: 用于 除去 硬化 光致抗蚀剂 蚀刻 残留物 底部 反射 涂层 稠密 流体 组合
【主权项】:
1.一种稠密流体浓缩物,其包含至少一种共溶剂、任选的至少一种氧化剂/自由基源、任选的至少一种表面活性剂和任选的至少一种含硅层钝化剂,其中所述浓缩物的特征还在于包含以下组分(I)或(II)中的至少一种:(I)至少一种氟化物源和任选的至少一种酸;和(II)至少一种酸,其中所述稠密流体浓缩物用于从其上具有硬化的光致抗蚀剂、蚀刻后残留物和/或底部抗反射涂层(BARC)的微电子器件上除去所述光致抗蚀剂、残留物和/或BARC。
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