[发明专利]硅的制备方法

摘要

本发明提供硅的制备方法。该硅的制备方法含有通过金属将式(1)所示的卤代硅烷还原的步骤(i)，SiH_nX_4－n(1)[式中，n为0～3的整数，X为选自F、Cl、Br和I中的至少1种，X为多个时，多个X可以彼此相同或不同。]所述金属的熔点为1300℃以下，在还原反应时为液相且其液相的形状为球状或薄膜状，为球状的情况下，其半径为r(μm)、反应时间为t(分钟)、反应温度为x(℃)时，满足式(A)、(B)和(C)，此外为薄膜状的情况下，其厚度为r’(μm)、反应时间为t(分钟)、反应温度为x(℃)时，满足式(A’)、(B’)和(C)。ln(r/)≤(10.5－7000/(x+273)) (A) ln(r’/)≤(10.5－7000/(x+273)) (A’)1≤r≤250 (B) 1≤r’≤500 (B’) 400≤x≤1300 (C)。

主权项

1.硅的制备方法，其含有通过金属将式(1)所示的卤代硅烷还原的步骤(i)， SiHnX4-n (1)(式中，n为0～3的整数，X为选自F、Cl、Br和I中的至少1种，X为多个时，多个X可以彼此相同或不同)，所述金属的熔点为1300℃以下，在还原反应时为液相，且液相的形状为球状或薄膜状，为球状的情况下，其半径为r(μm)、反应时间为t(分钟)、反应温度为x(℃)时，满足式(A)、(B)和(C)，为薄膜状的情况下，其厚度为r’(μm)、反应时间为t(分钟)、反应温度为x(℃)时，满足式(A’)、(B’)和(C)，$\ln (r/\sqrt{t})\le (10.5-7000/(x+273))---\left(A\right)$ $\ln (r\text{'}/\sqrt{t})\le (10.5-7000/(x+273))---(A\text{'})$ 1≤r≤250 (B)1≤r’≤500 (B’)400≤x≤1300 (C)。