[发明专利]一种新型晶片处理方法有效
| 申请号： | 200680030175.0 | 申请日： | 2006-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN101243551A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | R·A·达维斯 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 廖凌玲 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在接近和高于385℃的温度时，金可以扩散进入硅中以及扩散进入一些接触材料中。然而金是一种优良的材料，因为其耐腐蚀、有电传导性以及高可靠性。使用粘附层以及从接触的周围和上面的接触区域移除金，允许微型机电系统器件或半导体经历高于385℃的温度而不冒金扩散的风险。消除金扩散的风险以允许进一步升高的温度处理。将器件衬底键合到载体衬底可以是一升高的温度的工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 晶片 处理 方法 | ||
【主权项】：
1、一种方法，包括：选择一器件衬底并处理该器件衬底，直到利用接触材料形成接触的步骤；在该接触和其他区域上沉积一粘附金属以制造一粘附层以及在该粘附层上沉积金以制造一金层；以及图案化该金层以从该接触区域移除金以及图案化该粘附层以便该粘附层保留在该接触区域上；由此在器件衬底上制造至少一个具有能够禁受大于375℃温度的金接触的半导体或微型机电系统器件。
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