[发明专利]偏压晶片时的铝溅镀有效
| 申请号： | 200680030553.5 | 申请日： | 2006-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN101243202A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | W·T·李;T·郭;S－h·尤 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;H01L21/44 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种包含射频偏压晶片的铝溅镀制程及用于该制程的两步骤式铝填充制程及装置，以于两不同条件下将铝填充至一狭窄介电窗孔洞中，且较佳是于两不同的等离子溅镀反应室168、170中进行。该第一步骤130包括溅镀一高分率的离子化铝原子至一相对较冷的晶片上，例如温度保持低于150℃，以及施予相对较高的偏压以吸引铝原子进入该狭窄孔动中并蚀刻凸缘(overhangs)。该第二步骤132包括将较中性的铝溅镀至一相对较暖的晶片上，例如使晶片温度保持高于250℃，以及基本上不施加偏压以提供较等向性且均匀的铝流量(aluminum flux)。在第一步骤中于该铝靶材背侧扫描的磁控管可能相对较小且非平衡(80)，以及在第二步骤中于该铝靶材背侧扫描的磁控管可能相对较大且平衡(60)。 | ||
| 搜索关键词： | 偏压 晶片 铝溅镀 | ||
【主权项】：
1.一种溅镀铝至一基板上的方法，其至少包含：第一沉积步骤，溅渡铝至一基板上，该基板支撑于一基座电极上；于该第一沉积步骤过程中，以一射频(RF)功率来偏压该基座电极，以在该基板上建立一负直流自我偏压。
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