[发明专利]沉积锗膜的方法无效
| 申请号： | 200680030684.3 | 申请日： | 2006-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN101248209A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | S·布拉德·赫纳 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克3D公司 |
| 主分类号： | C23C16/22 | 分类号： | C23C16/22;C23C30/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种化学气相沉积方法提供平滑的连续锗膜层，其在充分较低的温度下沉积在金属衬底上以提供适于与例如铝和铜等温度敏感材料一起使用的锗装置。另一种化学气相沉积方法提供平滑的连续硅锗膜层，其在充分低的温度下沉积在二氧化硅衬底上以提供适于与例如铝、铜和硫族化物存储器材料等温度敏感材料一起使用的锗装置。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学气相沉积方法，其包括：在320℃或更低的温度下使用第一催化气体以在金属衬底上沉积自限的硅膜层；以及在320℃或更低的温度下使用第二催化气体以在所述自限的硅膜层上沉积锗膜层。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
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