[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680030790.1 | 申请日： | 2006-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN101248526A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 西村隆雄;成泽良明 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;冯志云 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 第一半导体芯片21配置在芯片装载构件11上，利用第一绝缘粘接剂21覆盖固定与第一半导体芯片21的电极焊盘21E连接的键合线36。一种半导体器件，其特征在于，中间隔着第一绝缘粘接剂31，将第二半导体芯片22层叠配置在第一半导体芯片21上。由此，在层叠安装芯片时，能够防止衬底正上方的芯片的键合线发生断线或者短路等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：芯片装载构件；第一半导体芯片，其配置在所述芯片装载构件上；键合线，其与所述第一半导体芯片的电极焊盘连接；第一绝缘粘接剂，其选择性地覆盖所述电极焊盘和所述键合线之间的连接部；第二半导体芯片，其中间隔着所述第一绝缘粘接剂配置在所述第一半导体芯片上。
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