[发明专利]制造半导体光学透镜的方法和由其制造的半导体光学透镜无效

专利信息
申请号: 200680031177.1 申请日: 2006-08-24
公开(公告)号: CN101248373A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 本多由明;西川尚之;上津智宏 申请(专利权)人: 松下电工株式会社
主分类号: G02B1/02 分类号: G02B1/02;G02B3/00;H01L21/3063;B29D11/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 蔡胜有;刘继富
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 使具有阳极图案的半导体基板阳极化以成型为光学透镜。所述阳极化利用电解质溶液以使在由于阳极化所导致的氧化部分一形成就被蚀刻掉,由此逐渐形成具有与阳极图案相匹配的图案的多孔层。在移除多孔层之后,处理基板以使保留在基板顶表面中的细微突起平滑,由此获得具有良好透射率的透镜。
搜索关键词: 制造 半导体 光学 透镜 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体光学透镜的方法,所述方法包括如下步骤:制备具有彼此相反的平坦顶表面和平坦底表面的半导体基板;在所述底表面上形成阳极;将所述半导体基板放置在电解质溶液中;在所述溶液中的所述阳极和阴极之间流过电流以将所述基板的顶表面阳极化为在不同部分具有不同深度,从而在所述顶表面中留下多孔层;和从所述基板中移除所述多孔层以在所述顶表面上留下弯曲表面;所述方法的特征在于包括使保留在所述弯曲表面上的细微突起平滑的平滑处理步骤。
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