[发明专利]辐射探测器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200680031189.4 申请日: 2006-03-13
公开(公告)号: CN101248371A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 古市真治;新田英雄 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: G01T1/20 分类号: G01T1/20
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 郭放
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种能够提供高清晰度和高分辨率CT光图像的多通道阵列辐射探测器。辐射探测器具有在长度方向和宽度方向安排成点阵的半导体光探测元件和与它们一对一地安排的闪烁器元件。该闪烁器元件具有在闪烁器元件的侧表面形成的薄的金属光反射材料层、和由混合了充填在邻接的金属光反射材料层之间的重金属元素粒子的树脂组成的辐射屏蔽层。
搜索关键词: 辐射 探测器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种辐射探测器,包括:具有在平面上安排在长度方向和宽度方向上的多个半导体光探测元件的半导体光探测元件阵列;安排在半导体光探测元件阵列上的多个闪烁器元件,使每个闪烁器元件的底部固定在多个半导体光探测元件中的每一个上;涂敷在每个闪烁器元件的与底部对置的顶部上的第1光反射材料层;覆盖在每个闪烁器元件的侧表面上、由金属层组成的第2光反射材料层;和由树脂和混合在树脂中的重金属元素的粒子组成的辐射屏蔽材料层,该辐射屏蔽材料层充填在相邻的第2光反射材料层之间,该相邻的第2光反射材料层覆盖在彼此相邻的闪烁器元件的侧表面上。
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