[发明专利]增加封装膜透光度的方法有效
| 申请号： | 200680031509.6 | 申请日： | 2006-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN101512728A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | T·K·翁;S·亚达夫 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 所揭示者为一种用以沉积一含碳材料层至一基板上的方法，其包括传送一用以沉积该含碳材料层的前驱物的混合物至一处理室中，以硅掺杂该含碳材料层，并在一低温下沉积该含碳材料层至该基板上。在一态样中，可获得在一可见光光谱所有波长下均具有高透光性的含碳材料层。此外，提供一种用以沉积一可供多种显示应用(因其底下层本身热不安定性之故因而需要低温沉积制程)使用的封装层的方法。该封装层具有一或多阻障材料层及一或多氛晶形碳材料层。该非晶形碳层可用以降低热应力并防止所沉积膜层自基板表面剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 增加 封装 透光 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在基板处理系统中沉积多层的封装层至基板上的方法，包含：沉积多层含碳无机阻障层至该基板表面上，包含传送第一含硅化合物进入该基板处理系统中；及在约200℃或更低的基板温度下在该一或多层含硅无机阻障层间沉积一或多含碳材料层，其包含传送一由前驱物组成的混合物(包含含碳化合物、第二含硅化合物、及含氮化合物)至该基板处理系统中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
