[发明专利]碳化硅半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680032093.X | 申请日： | 2006-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101253633A | 公开（公告）日： | 2008-08-27 |
| 发明（设计）人： | 谷本智;川本典明;鬼头孝之;三浦峰生 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社;罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种碳化硅半导体器件(90)，包括：1)碳化硅衬底(1)；2)由多晶硅构成的栅电极(7)；以及3)ONO绝缘膜(9)，该ONO绝缘膜(9)被夹在碳化硅衬底(1)与栅电极(7)之间，从而形成栅极结构，并且该ONO绝缘膜(9)包括从碳化硅衬底(1)开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)(10)，b)SiN膜(N)(11)，以及c)SiN热氧化膜(O)(12、12a、12b)。其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在第一二氧化硅膜(O)(10)中和在碳化硅衬底(1)附近，以及ii)在碳化硅衬底(1)与第一二氧化硅膜(O)(10)之间的界面中。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体器件，包括：1)碳化硅衬底；2)由多晶硅构成的栅电极；以及3)ONO绝缘膜，所述ONO绝缘膜被夹在所述碳化硅衬底与所述栅电极之间，从而形成栅极结构，所述ONO绝缘膜包括从所述碳化硅衬底开始依次形成的如下部分：a)第一二氧化硅膜(O)，b)SiN膜(N)，以及c)SiN热氧化膜(O)，其中氮包括在如下位置中的至少一个中：i)在所述第一二氧化硅膜(O)中和在所述碳化硅衬底附近，以及ii)在所述碳化硅衬底与所述第一二氧化硅膜(O)之间的界面中。
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