[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

由于当通过烧结金属/多晶硅结构形成全面硅化的栅电极时所得硅化物的成分根据栅极长度的改变而改变使元件特性不利地波动。元件特性还由于所得硅化物成分的元件到元件的不均匀性而波动。通过首先形成具有富金属成分的完全硅化物，在其上淀积Si层并烧结该组合结构，富金属硅化物中的金属扩散到Si层中，以便将Si层转化成硅化物。由此将整个结构转化成具有较小金属成分比率的完全硅化物。

主权项

1.一种用于制造带有MOS晶体管的半导体器件的方法，其中该方法包括：以栅绝缘膜、第一区域和掩模从半导体层伸出的方式依次形成栅绝缘膜、由组分S1构成的第一区域和掩模的形成步骤；在栅绝缘膜、第一区域和掩模的两侧上提供栅极侧壁的步骤；在第一区域两侧上的半导体层中形成源/漏区的步骤；通过去除掩模曝露第一区域的曝露步骤；至少在所曝露的第一区域上淀积金属层的第一淀积步骤，该金属层包含金属M1，该金属M1的量大于与第一区域中的全部组分S1反应以形成由M1x1S1y1(x1和y1为自然数)所表示的晶相构成的第一合金所需的金属M1的量；第一合金化步骤，其利用热处理通过在第一区域中的组分S1和金属M1之间的反应将整个第一区域转化成由第一合金构成的区域(1)；去除在第一合金化步骤中包含未与组分S1反应的金属M1的金属层的步骤；以使第二区域与区域(1)的至少一部分相接触的方式淀积第二区域的第二淀积步骤，该第二区域包含组分S1，组分S1的量大于与全部第一合金反应以形成由M1x2S1y2(x2和y2为自然数，y2/x2＞y1/x1)所表示的晶相构成的第二合金所需的组分S1的量；第二合金化步骤，其通过利用热处理通过在第二区域中组分S1与第一合金的反应将整个区域(1)转化成由第二合金构成的区域(2)以形成栅电极；以及去除由在第二合金化步骤中未与第一合金反应的组分S1构成的第二区域的步骤。