[发明专利]等离子体处理设备、等离子体处理方法、其中使用的介质窗口以及该介质窗口的制造方法无效
申请号: | 200680032251.1 | 申请日: | 2006-09-01 |
公开(公告)号: | CN101258786A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 奥村智洋;伊藤裕之;佐佐木雄一朗;冈下胜己;水野文二;中山一郎;置田尚吾;永井久雄 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 肖鹂 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 实现了均匀性出色的等离子体掺杂。当预定气体从气体供应设备(2,16)引入真空容器(1)时,该真空容器(1)通过排气孔(11)藉由作为排气装置的涡轮分子泵(3)被排气,且通过压力调节阀(4)在真空容器(1)内维持预定压力。通过将13.56MHz的高频功率从高频电源(5)供应到置为与样品电极(6)对立的介质窗口(7)附近的线圈(8),由此在真空容器(1)内产生感应耦合等离子体。介质窗口(7)是由多个介质板组成,且槽形成于相互对立的至少两个介质板的至少一侧内。气体通道由该槽和其对立的平坦表面形成,且设置于最靠近样品电极的介质板内的气体排出口(15,19)被允许连通介质窗口内的槽。从气体排出口(15,19)引入的气体的流速可以独立地被控制,且处理的均匀性可以提高。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 设备 方法 其中 使用 介质 窗口 以及 制造 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理设备,包括:真空容器;样品电极,置于所述真空容器内部且将安装有样品;气体供应设备,用于供应气体到所述真空容器内部;多个气体排出口,形成于与所述样品电极相对的介质窗口内;排气设备,用于对所述真空容器排气;压力控制装置,用于控制所述真空容器内的压力;以及电磁耦合装置,用于在所述真空容器内部产生电磁场,其中所述介质窗口是由多个介质板组成,槽形成于介质板的两个面对的表面的至少一个内,气体通道是由所述槽以及与所述槽相对的介质板的平坦表面形成,并且用于将来自所述气体供应设备的气体供应到所述槽的气体供应部被设置;以及形成于最靠近所述样品电极的介质板内的气体排出口与所述介质窗口内的所述槽连通。
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