[发明专利]用于改善有机电子元件中空穴注入的新型材料及该材料的应用有效

专利信息
申请号: 200680032360.3 申请日: 2006-08-28
公开(公告)号: CN101273480A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 安德烈亚斯·卡尼茨 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 顾晋伟;刘继富
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 发明涉及用于空穴传输层的p型掺杂的新型材料,如式(1)给出的噻唑啉化合物,其中通过所述材料的较高蒸发温度和/或玻璃形成特性来克服现有技术的缺点,尤其是已知p型掺杂材料的较差可蒸发性。
搜索关键词: 用于 改善 有机 电子元件 空穴 注入 新型材料 材料 应用
【主权项】:
1.一种用于掺杂有机半导体元件的空穴传输层的材料,其特征在于,在所述材料中,受主特性与高于150℃的蒸发温度和/或玻璃形成特性结合存在。
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