[发明专利]包含用于监测擦除/编程电压的标记的无源非接触式集成电路有效
申请号: | 200680032489.4 | 申请日: | 2006-08-25 |
公开(公告)号: | CN101258553A | 公开(公告)日: | 2008-09-03 |
发明(设计)人: | 大卫·那拉;克里多夫·摩尔鲁克斯;阿曼·卡利;皮尔·瑞索 | 申请(专利权)人: | ST电子有限公司 |
主分类号: | G11C5/14 | 分类号: | G11C5/14 |
代理公司: | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王光辉 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | 本发明涉及包含电可编程非易失性数据存储器(MEM)、用于提供在存储器中写入数据(DTW)所必须的高电压(Vhv)的电荷积聚升压电路(HVCT,PMP,HGEN)的无源非接触式集成电路(IC2)。根据本发明,该集成电路包含易失性存储点(FF1),用于存储指示标记(THR2),以及设备(THDET,THR1,FF1),用于在激活升压电路后、高电压(Vhv)第一次达到临界阈值(Vc)时,改变指示标记(THR2)的值。 | ||
搜索关键词: | 包含 用于 监测 擦除 编程 电压 标记 无源 接触 集成电路 | ||
【主权项】:
1.包含电可编程非易失性数据存储器(MEM)、用于提供在存储器中写入数据(DTW)所必需的高电压(Vhv)的电荷积聚升压电路(HVCT,PMP,HGEN)的无源非接触式集成电路(IC2),其特征在于其包含:-易失性存储点(FF1),用于存储指示标记(THR2),以及-设备(THDET,THR1,FF1),用于在激活升压电路后、高电压(Vhv)第一次达到临界阈值(Vc)时,改变指示标记(THR2)的值。
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