[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680032614.1 | 申请日： | 2006-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101258617A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 中川玲;柏叶安兵卫;新仓郁生 | 申请（专利权）人： | 西铁城东北株式会社;国立大学法人岩手大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;C23C14/08;H01L21/365 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法，该半导体发光元件在通过渗杂施主杂质而低电阻化了的n形ZnO大块单晶基板(10)上，形成由渗杂了氮的ZnO系化合物构成的半导体薄膜作为p形层(11)而进行pn接合，优选是在n形ZnO大块单晶基板(10)的包含锌原子的面上形成p形层(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，在通过渗杂施主杂质而低电阻化了的n形ZnO大块单晶基板上，形成由渗杂了氮的ZnO系化合物构成的半导体薄膜作为p形层而进行pn接合。
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