[发明专利]具有含源-漏扩展反掺杂的P-MOS晶体管的半导体器件无效
| 申请号： | 200680032757.2 | 申请日： | 2006-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN101501860A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | S·高克特派利;J·D·伯纳特 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦 晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法。该方法包括形成n型阱区域(14)。该方法进一步包括形成与n型阱(14)区域顶部上的半导体器件对应的栅极(20)。该方法进一步包括利用p型掺杂在栅极(20)的每个侧面上形成在源-漏扩展区(28)。该方法进一步包括利用n型掺杂(32)在n型阱区域内的每个侧面上的源-漏扩展区进行掺杂，使得n型掺杂(32)基本上被包含在源-漏扩展区内。该方法进一步包括形成与半导体器件对应的源(40)和漏(42)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 扩展 掺杂 mos 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体器件的方法，包括：形成n型阱区；形成对应于n型阱区的顶部上的半导体器件的栅极；利用p型掺杂剂在n型阱区内的栅极的每一侧上形成源-漏扩展区；利用n型掺杂剂在n型阱区内的栅极的每一侧上对源-漏扩展区进行掺杂，使得n型掺杂剂基本上被包含在源-漏扩展区内；以及形成对应于该半导体器件的源和漏。
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