[发明专利]使用锑－硒金属合金的相变存储装置及其制作方法无效
| 申请号： | 200680032890.8 | 申请日： | 2006-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101258598A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 尹圣民;李南烈;柳相旭;李承胤;朴永森;崔圭政;俞炳坤 | 申请（专利权）人： | 韩国电子通信研究院 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种使用具有低熔点和高结晶速度的相变材料的相变存储装置及其制作方法。该相变存储装置包括锑(Sb)－硒(Se)硫族化物SbxSe100－x相变材料层，该SbxSe100－x相变材料层接触通过孔露出的热发生电极层并填充孔。由于在相变材料层内使用SbxSe100－x，可以制造与GST存储装置相比速度更快，功耗更低的相变存储装置。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 金属 合金 相变 存储 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种相变存储装置，包括：热发生电极层；第一绝缘层，部分覆盖所述热发生电极层，露出部分的热发生电极层，且其中具有孔；以及锑(Sb)-硒(Se)硫族化物SbxSe100-x相变材料层，接触通过所述孔露出的所述部分的热发生电极层，并填充所述孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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