[发明专利]用于制造半导体功率器件的方法无效
| 申请号： | 200680032959.7 | 申请日： | 2006-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN101258588A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | G·阿雷纳;C·多纳托;C·M·卡马勒里;A·马格里 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王庆海;张志醒 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 在半导体主体(2)中形成沟槽(5)；用第一电介质材料层(9)覆盖沟槽的侧壁和底部；用第二电介质材料层(10)填充沟槽(5)；通过部分的、同时的和可控制的方式蚀刻第一和第二电介质材料层(9，10)，使得电介质材料具有类似的蚀刻速度；在沟槽(5)的侧壁上沉积具有小于第一电介质材料层(9)的厚度的栅极氧化物层(13)；在沟槽(5)内形成导电材料的栅极区(14)；以及在栅极区(14)的侧面并与其隔离的半导体主体(2)内形成主体区(7)和源极区(8)。因此，栅极区(14)仅仅在第一和第二电介质材料层(9，10)的剩余部分的顶部延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 功率 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体功率器件的工艺，包括步骤：形成第一导电类型的具有顶表面(3)的半导体主体(2)；在所述半导体主体(2)中形成具有侧壁和底部的沟槽(5)；用第一电介质材料层(9)覆盖所述沟槽(5)的所述侧壁和所述底部；用第二电介质材料层(10)填充所述沟槽(5)；在所述沟槽(5)的所述壁上形成栅氧化层(13)；在所述沟槽(5)内形成被所述栅氧化层(13)包围的导电材料的栅极区(14)；以及在所述半导体主体(2)内形成具有第二导电类型的主体区(7)和具有所述第一导电类型的源极区(8)。其特征在于所述第一电介质材料层(9)和第二电介质材料层(10)是由具有和蚀刻工艺类似响应的材料制成，以及所述蚀刻步骤包括同时蚀刻所述第一电介质材料层(9)和所述第二电介质材料层(10)以便在所述沟槽(5)内以部分地、同时地并可控地方式去除掉所述第一电介质材料层(9)和第二电介质材料层(10)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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