[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680033065.X | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101263609A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 大泽弘;程田高史 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括具有高粘着性的正电极和负电极，可以输出高功率，且不产生热；具体地，本发明提供一种氮化物半导体发光器件，其包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、p型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层和n型氮化物半导体层，其中在所述欧姆接触层与所述镀敷层之间形成镀敷粘着层，并且所述镀敷粘着层由包括50质量％或更大的与包含在所述镀敷层中的合金的主要成分相同的成分的合金构成。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光器件，包括层叠在镀敷层上的至少欧姆接触层、p型氮化物半导体层、氮化物半导体发光层和n型氮化物半导体层，其中在所述欧姆接触层与所述镀敷层之间形成镀敷粘着层，并且所述镀敷粘着层由包括50质量％或更大的与包含在所述镀敷层中的合金的主要成分相同的成分的合金构成。
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