[发明专利]处理衬底的方法和设备无效
| 申请号： | 200680033312.6 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101263584A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 菲利普·加尼尔 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈源;张天舒 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 一种处理半导体衬底(3)的方法，该方法包括旋转半导体衬底(3)，同时在旋转的衬底(3)的第一表面上分配反应蚀刻剂(7)，从而对该表面(3)的第一区域(8)进行蚀刻。同时，在第一表面上分配中和剂(9)从而中和从该表面(3)的第一区域(8)流走的蚀刻剂(9)，因此充分阻止了对位于比第一区域(8)更接近该衬底(3)边缘的第一表面的其它区域(10)的处理。这个处理可以是蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 衬底 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：旋转所述衬底，在旋转的衬底的第一表面上分配反应试剂以对所述第一表面的第一区域进行处理，同时在所述第一表面上分配中和剂，以便中和从所述表面的第一区域流走的反应试剂，以充分阻止对位于比所述第一区域更接近所述衬底边缘的所述第一表面的另一区域的处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
