[发明专利]能储存高密度资料的高性能快闪存储器装置有效
| 申请号： | 200680033325.3 | 申请日： | 2006-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN101263563A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 郭苕华;N·梁;杨念;王国威;A·李;S·钱德拉;M·A·范布斯科克;J·陈;D·汉密尔顿;李冰宽 | 申请（专利权）人： | 斯班逊有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C5/14 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种方法用于编程包含存储器单元(201)之阵列(102)之非易失性存储器阵列，其中各存储器单元(201)包括基板(310)、控制栅极(328)、电荷储存组件(322)、源极区域(203)及漏极区域(202)。该方法包括接收含有将在该阵列中被编程之预定数量之位的编程窗(programming window)(700)，及判定该预定数量之位中哪几个位将于该存储器阵列中被编程(703)。该预定数量之位系同时被编程至该阵列中之对应的存储器单元(705)。该阵列中之该预定数量之位的编程状态系同时被验证(708)。 | ||
| 搜索关键词： | 储存 高密度 资料 性能 闪存 装置 | ||
【主权项】：
1、一种非易失性存储器阵列的编程方法，该非易失性存储器阵列包括存储器单元(201)的阵列(102)，每个存储器单元包含基板(310)、控制栅极(328)、电荷储存组件(322)、源极区域(203)及漏极区域(202)，该方法包括下列步骤：接收含有在该阵列中待编程的预定数量的位的编程窗(700)；判定该预定数量的位中哪几个位在该存储器阵列中待编程(703)；同时编程该预定数量的位至该阵列中的对应的存储器单元(705)；以及同时验证在该阵列中的该预定数量的位的编程状态(708)。
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