[发明专利]导电性层叠体及有机EL元件无效
| 申请号： | 200680033471.6 | 申请日： | 2006-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101263744A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 笘井重和;井上一吉;松崎滋夫 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | H05B33/26 | 分类号： | H05B33/26;H05B33/28;H01B5/14;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种导电性层叠体(10)，其中，包括：第一层(12)，其包含金属或透明导电物质；第二层(14)，其位于所述第一层(12)之上，包含选自铟、锡、锌、铝、镁、硅、钛、钒、锰、钴、镍、铜、镓、锗、钇、氧化锆、铌、钼、锑、钡、铪、钽、钨、铋、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥及镱的一种以上金属的氧化物、碳化物或氮化物、或碳，第二层(14)的功函数比所述第一层的功函数大，第二层(14)的膜厚为0.5nm以上，且小于50nm。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 层叠 有机 el 元件 | ||
【主权项】：
1.一种导电性层叠体，其中，包括：第一层，其由金属或透明导电物质构成；第二层，其位于所述第一层之上，由选自铟、锡、锌、铝、镁、硅、钛、钒、锰、钴、镍、铜、镓、锗、钇、氧化锆、铌、钼、锑、钡、铪、钽、钨、铋、镧、铈、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥及镱的一种以上金属的氧化物、碳化物或氮化物、或者碳构成，所述第二层的功函数大于所述第一层的功函数，所述第二层的膜厚在0.5nm以上，且小于50nm。
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