[发明专利]具有相互连接的栅极沟槽的功率半导体设备无效
| 申请号： | 200680033497.0 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101288175A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 马凌;A·I·阿马利;R·特纳 | 申请（专利权）人： | 国际整流器公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周建秋;王凤桐 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种功率半导体设备，该设备包括多个栅极沟槽以及与所述栅极沟槽相交的周边沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 相互 连接 栅极 沟槽 功率 半导体设备 | ||
【主权项】：
1、一种功率半导体设备，该设备包括：漂移区，该漂移区具有第一导电率；基区，该基区具有第二导电率且位于所述漂移区上；第一组沟槽，该第一组沟槽通过所述基区延伸到所述漂移区；第一周边沟槽，该第一周边沟槽被布置在第一栅极沟槽周围并且与所述第一栅极沟槽相交；栅极绝缘层，该栅极绝缘层形成在毗邻所述基区的各个栅极沟槽中；以及栅电极，该栅电极位于每个第一栅极沟槽中。
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