[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200680033530.X | 申请日： | 2006-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN101263606A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 林哲也;下井田良雄;星正胜;田中秀明;山上滋春 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/24;H01L29/06;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;陈立航 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其包括：半导体基体；异质半导体区域，其与半导体基体接触，并且其具有带隙与半导体基体的带隙不同；第一电极，其与异质半导体区域连接；以及第二电极，其与半导体基体欧姆接触。异质半导体区域包括通过层叠多个半导体层形成的层状异质半导体区域，其中，在至少两层之间的界面处的晶格对准不连续。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：第一导电类型的半导体基体；异质半导体区域，其与所述半导体基体的主表面接触，所述异质半导体区域的带隙宽度与所述半导体基体的带隙宽度不同；第一电极，其与所述异质半导体区域连接；以及第二电极，其与所述半导体基体连接，其中，所述异质半导体区域包括用于截止反向操作过程中产生的漏电流的结构。
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