[发明专利]通过螺旋位错持续生长形成纳米结构层有效
| 申请号： | 200680033622.8 | 申请日： | 2006-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101263621A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 马克·K·德贝;雷蒙德·J·齐格勒;苏珊·M·亨德里克斯 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/88 | 分类号： | H01M4/88;H01M4/92;H01M8/10;B01J31/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郇春艳;郭国清 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文描述了薄膜层的纳米结构化支承元件的长度伸展工艺。所述工艺涉及第一退火步骤期间纳米结构化支承元件的初始形成。在所述纳米结构化支承元件上沉积材料涂层。在第二退火步骤期间，所述初始形成的纳米结构化支承元件纵向伸展。较长的纳米结构化支承元件提供了更大的支承催化剂材料的表面积，从而允许在所述层上填塞更多的催化剂。具有延伸的纳米结构化支承元件的层尤其可用于电化学装置(诸如燃料电池)，其中催化剂活性与支承所述催化剂的可用表面积相关。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 螺旋 持续 生长 形成 纳米 结构 | ||
【主权项】：
1.一种涉及形成纳米结构化支承元件的方法，所述方法包括：在基底上沉积材料的第一层；使所述第一层退火以形成所述纳米结构化支承元件层；在所述纳米结构化支承元件上沉积所述材料的第二层；以及使所述第二层退火以纵向延伸所述纳米结构化支承元件。
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