[发明专利]电子电路及其制造方法无效
申请号: | 200680033818.7 | 申请日: | 2006-09-13 |
公开(公告)号: | CN101263602A | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | A·乌尔曼;A·克诺布洛赫;M·韦尔克;W·菲克斯 | 申请(专利权)人: | 波利IC有限及两合公司 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L51/05 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种电子电路及制造电子电路的方法,所述电子电路包括至少两个位于同用柔性基底上的电子元件,其中该至少两个电子元件每个都具有至少一个由相同功能层材料构成的电功能层。该电功能层由相同的功能层材料、以及在基底上以带状形式形成的层的层区域形成。 | ||
搜索关键词: | 电子电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电子电路,其包括至少两个位于共用柔性基底(1)上的电子元件,其中所述至少两个电子元件的每个都具有至少一个由相同功能层材料构成的电功能层,其特征在于所述由相同功能层材料构成的电功能层由基底(1)上的以带状形式形成的层(2a、2b、2c、2d、5a)的层区域形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的