[发明专利]使ESD电容线性化的方法有效
申请号: | 200680033916.0 | 申请日: | 2006-08-24 |
公开(公告)号: | CN101283451A | 公开(公告)日: | 2008-10-08 |
发明(设计)人: | 迈伦·米斯克;大卫·莫里尔 | 申请(专利权)人: | 快捷半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H03K19/003 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 披露了具有向电力轨和接地放电的用于IC的输入/输出垫盘的ESD保护电路。将ESD电路与NMOS和PMOS晶体管一起配置,NMOS和PMOS晶体管跟其与垫盘相连的漏一起配置。然而,漏电容具有彼此补偿或抵消的电压灵敏度,并且通过适当的尺寸确定,可以在给定电压范围内使垫盘上的电容载荷基本上保持恒定。通过提供到电力轨的放电路径,可以将ESD电路设计得可以更加忍受电力轨上的过电压。 | ||
搜索关键词: | esd 电容 线性化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于相对于电压使ESD保护电路的电容线性化的方法,该方法包括以下步骤:经由位于垫盘和地之间的NMOS晶体管的漏极,提供到地的第一放电路径;以及经由位于垫盘和正电力轨之间的PMOS晶体管的漏极,提供第二放电路径,其中NMOS的漏极和PMOS的漏极具有相对于电压来说彼此互补的电容敏感性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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