[发明专利]使ESD电容线性化的方法有效

专利信息
申请号: 200680033916.0 申请日: 2006-08-24
公开(公告)号: CN101283451A 公开(公告)日: 2008-10-08
发明(设计)人: 迈伦·米斯克;大卫·莫里尔 申请(专利权)人: 快捷半导体有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H03K19/003
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 秦晨
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 披露了具有向电力轨和接地放电的用于IC的输入/输出垫盘的ESD保护电路。将ESD电路与NMOS和PMOS晶体管一起配置,NMOS和PMOS晶体管跟其与垫盘相连的漏一起配置。然而,漏电容具有彼此补偿或抵消的电压灵敏度,并且通过适当的尺寸确定,可以在给定电压范围内使垫盘上的电容载荷基本上保持恒定。通过提供到电力轨的放电路径,可以将ESD电路设计得可以更加忍受电力轨上的过电压。
搜索关键词: esd 电容 线性化 方法
【主权项】:
1.一种用于相对于电压使ESD保护电路的电容线性化的方法,该方法包括以下步骤:经由位于垫盘和地之间的NMOS晶体管的漏极,提供到地的第一放电路径;以及经由位于垫盘和正电力轨之间的PMOS晶体管的漏极,提供第二放电路径,其中NMOS的漏极和PMOS的漏极具有相对于电压来说彼此互补的电容敏感性。
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