[发明专利]碳化硅半导体器件有效
申请号: | 200680034006.4 | 申请日: | 2006-04-24 |
公开(公告)号: | CN101268555A | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 杉本博司;松野吉德;大塚健一;三上登;黑田研一 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L29/161 | 分类号: | H01L29/161;H01L29/04;H01L29/861 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在n-型碳化硅倾斜的衬底(2)的主表面上形成通过外延生长的方法由碳化硅制成的n-型电压阻隔层(3)。在n-型电压阻隔层(3)上形成了当从上方观看时是矩形的p-型碳化硅区域(4)。在p-型碳化硅区域(4)的表面上形成了p-型接触电极(5)。在p-型碳化硅区域(4)中,易于引起雪崩击穿的且与碳化硅晶体(11-20)的平面(14a)平行的p-型碳化硅区域(4)的外围位于短边上。这样,能够提高碳化硅半导体器件的电介质强度。 | ||
搜索关键词: | 碳化硅 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种碳化硅半导体器件,包括:具有主表面的碳化硅倾斜衬底(2);生长于所述碳化硅倾斜衬底(2)的所述主表面上的第一导电型碳化硅层(3);以及形成于所述碳化硅层(3)的表面上用作元件的第二导电型区域(4),其中所述第二导电型区域(4)的外围(4a,4b)被形成为使得相对于在电压施加到所述第二导电型区域(4)上之后在所述外围(4a,4b)上形成的电场,具有与基于雪崩击穿的指定晶体平面(14,14a,14b)的平面取向相同方向的电场分量小于具有与所述晶体平面(14,14a,14b)的平面取向不同方向的电场分量。
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