[发明专利]可变磁阻位置传感器有效
| 申请号： | 200680034235.6 | 申请日： | 2006-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101273194A | 公开（公告）日： | 2008-09-24 |
| 发明（设计）人： | 马太·L·施耐德;阿尔佛雷德·斯卡普 | 申请（专利权）人： | 卡明斯公司 |
| 主分类号： | F02M25/07 | 分类号： | F02M25/07;F02B47/08;G01B7/30;H01L43/06 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 霍育栋;郑霞 |
| 地址： | 美国印*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种位置传感器(10)，其具有由霍耳效应器件(24)形成的转换器(14)和在外壳(20)内固定在低磁导率间隙(26)的任一侧的永磁体(22)。固定到活动构件(16)例如EGR阀柱塞的目标(12)在间隙(26)内移动。目标(12)具有沿行进方向(18)随位置变化而变化的磁通调节特性。在一些实施方案中，通过随位置来改变目标(12)的截面，获得可变的磁阻。在一些实施方案中，具有大体上恒定的磁阻的第二目标(12b)固定到活动构件(16)，并在由第二转换器界定的间隙(26)内移动。第二转换器(14b)的输出用来使第一转换器(14a)的输出规范化并补偿异常，例如漂移和除在活动构件(16)的行进方向以外的移动。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 磁阻 位置 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种用于检测目标移动的设备，所述设备包括：磁通集中器，其包括高磁导率材料，所述磁通集中器定形为设置一包含高磁阻区域的磁间隙；永磁体，其耦合到所述磁通集中器并配置为建立一跨所述磁间隙的磁场；磁传感器，其定位成测量跨所述磁间隙的磁通；以及目标，其设置成穿过所述磁间隙行进并响应于行进距离的变化而调节跨所述磁间隙的磁阻。
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