[发明专利]溅射靶、透明导电膜及透明电极有效

专利信息
申请号: 200680034283.5 申请日: 2006-09-14
公开(公告)号: CN101268211A 公开(公告)日: 2008-09-17
发明(设计)人: 矢野公规;井上一吉;田中信夫 申请(专利权)人: 出光兴产株式会社
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;C04B35/00;H01B5/14
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种用于通过溅射法成膜透明导电膜的溅射靶,该透明导电膜可以适用于以液晶显示器为代表的显示器和触摸屏、太阳能电池等各种用途。即使削减铟含量,该溅射靶也具有优良的导电性、蚀刻性、耐热性等。本发明的溅射靶,其特征在于,含有铟、锡、锌、氧,包含六方晶层状化合物、尖晶石结构化合物及红绿柱石结构化合物,特别是用In/(In+Sn+Zn)表示的原子比在0.33~0.6的范围内,用Sn/(In+Sn+Zn)表示的原子比在0.05~0.15的范围内。
搜索关键词: 溅射 透明 导电 电极
【主权项】:
1.一种溅射靶,其特征在于,含有铟、锡、锌、氧,包含六方晶层状化合物、尖晶石结构化合物及红绿柱石结构化合物。
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