[发明专利]陶瓷靶,由氧化锌、镓和硼构成的薄膜以及该薄膜的制备方法无效

专利信息
申请号: 200680034816.X 申请日: 2006-08-16
公开(公告)号: CN101296880A 公开(公告)日: 2008-10-29
发明(设计)人: A·K·阿卜杜夫;A·S·阿斯瓦洛夫;A·K·阿科美杜夫;I·K·卡米洛夫 申请(专利权)人: 普里马股份有限公司
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;C04B41/87;H01L41/187
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 李帆
地址: 俄罗斯*** 国省代码: 俄罗斯;RU
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摘要: 发明涉及光电子技术领域并且用于制备透明传导层。更具体地,本发明涉及制备陶瓷材料的领域并且用于制备陶瓷靶,该陶瓷靶在微电子、光电子、纳电子中通过磁控、电子束、离子束和其它薄膜施用方法的薄膜施用方法中充当材料源,并且涉及由这种陶瓷靶生产的薄膜,以及所述薄膜的制备方法。公开了基于掺杂镓的氧化锌的陶瓷靶,该陶瓷靶含有0.5至6原子%镓和0.1至2原子%硼,一部分镓和硼作为取代掺合物包含在氧化锌微晶中,而剩余部分的镓和硼与锌一起包含在非晶态的晶粒间相中。还提出了基于掺杂镓且择优取向为(001)的氧化锌的多晶薄膜,在该薄膜的结构中0.1至2%锌原子被硼原子取代,0.5至6%锌原子被镓原子取代,并且提出了该薄膜的制备方法。
搜索关键词: 陶瓷 氧化锌 构成 薄膜 以及 制备 方法
【主权项】:
1.基于掺杂镓的氧化锌的陶瓷靶,其特征在于所述陶瓷靶含有0.5至6原子%的镓和0.1至2原子%的硼,一部分镓和硼作为取代掺合物包含在氧化锌微晶中,而剩余部分的镓和硼与锌一起包含在非晶态的晶界相中。
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