[发明专利]确定基片温度的装置及方法有效
| 申请号： | 200680034863.4 | 申请日： | 2006-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101268346A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 基思·加夫;尼尔·马丁·保罗·本杰明 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | G01K11/00 | 分类号： | G01K11/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚;尚志峰 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开一种用于测量基片温度的装置。该装置包括与该基片热接触的磷光体材料，当暴露于第二波长范围的电磁射线时，该磷光体材料产生在第一波长范围内的荧光响应，该荧光响应以与磷光体材料温度有关的衰减率衰减，以及当暴露于等离子时，该磷光体材料产生第一组非挥发性副产物。该装置还包括设在该磷光体材料和等离子之间的阻挡窗，其中该阻挡窗允许透射该第一波长和第二波长的至少一部分，以及其中该阻挡窗当暴露于等离子时产生少于第一组非挥发性副产物的第二组非挥发性副产物，其中当电磁射线通过该阻挡窗透射到该磷光体材料时，由该荧光响应的衰减率确定温度。 | ||
| 搜索关键词： | 确定 温度 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在等离子处理系统中用于测量基片温度的装置，包括：与所述基片热接触的磷光体材料，当暴露于第二波长范围内的电磁射线时，所述磷光体材料产生在第一波长范围内的荧光响应，所述荧光响应以与所述磷光体材料温度有关的衰减率衰减，以及当暴露于等离子时，所述磷光体材料产生第一组非挥发性副产物；设于所述磷光体材料和等离子之间的阻挡窗，其中所述阻挡窗允许透射所述第一波长和所述第二波长的至少一部分，并且其中所述阻挡窗当暴露于所述等离子时产生少于所述第一组非挥发性副产物的第二组非挥发性副产物，其中，当所述电磁射线通过所述阻挡窗被透射到所述磷光体材料时，由所述荧光响应的所述衰减率确定所述温度。
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