[发明专利]具有传导性阻挡层和箔基底的光生伏打器件无效
| 申请号： | 200680034955.2 | 申请日： | 2006-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN101268608A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | C·R·莱德霍尔姆;B·博尔曼;J·R·希茨;S·考;M·R·罗施希尔森 | 申请（专利权）人： | 纳米太阳能公司 |
| 主分类号： | H02N6/00 | 分类号： | H02N6/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供在箔基底上形成吸收剂层的方法与器件。在一个实施方案中，制造光生伏打器件的方法可由下述步骤组成：提供由至少一种导电铝箔基底组成的基底，至少一层导电扩散阻挡层，和在该扩散阻挡层上的至少一层导电电极层。扩散阻挡层可防止在铝箔基底和电极层之间的化学相互作用。可在基底上形成吸收剂层。在一个实施方案中，吸收剂层可以是非硅的吸收剂层。在另一实施方案中，吸收剂层可以是无定形硅(掺杂或未掺杂)吸收剂层。任选地，吸收剂层可以基于有机和/或无机材料。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 传导性 阻挡 基底 光生伏打 器件 | ||
【主权项】：
1.一种方法，它包括：提供基底；和在基底上形成吸收剂层。
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